스너 버는 회로의 인덕턴스로 인해 발생하는 전압 스파이크를 완화하는 데 사용되는 에너지 흡수 회로입니다. 때때로 과전류, 과전압 및 과열로 인해 부품이 고장납니다. 따라서 회로의 과전류 보호를 위해 적절한 위치에서 퓨즈를 사용하고 과열을 위해 방열판 또는 팬을 사용합니다.
스 너버 회로 는 회로를 켜고 끄는 동안 전압 또는 전류 (di / dt 또는 dv / dt)의 변화율과 과전압을 제한하는 데 사용됩니다. Snubber 회로는 성능 향상과 보호를 위해 트랜지스터 또는 사이리스터와 같은 스위치에 직렬로 연결된 저항과 커패시터의 조합입니다. 스 너버 회로는 또한 아크를 방지하기 위해 스위치와 릴레이에 사용됩니다.
이 프로젝트에서는 Snubber 회로가 과전압 또는 과전류 로부터 사이리스터를 보호하는 방법 을 보여줍니다. 이 회로는 사이리스터를 가로 지르는 스 너버 회로 와 555 타이머 IC를 사용하는 주파수 생성기 회로로 구성됩니다.
필요한 재료
- 사이리스터 -TYN612 (SCR)
- 555 타이머 IC
- 저항기 (47k-2,10k-2,1k-1,150-1)
- 커패시터 (0.01uf, 0.001uf, 0.1uf-2)
- 다이오드 -1N4007
- 스위치
- 오실로스코프 (출력 확인 용)
- 9v 공급
- 전선 연결
회로도
사이리스터-TYN612
여기서 사이리스터 TYN612 라는 이름 에서 '6'은 반복 피크 오프 상태 전압 값, V DRM 및 V RRM 은 600V, '12'는 온 상태 RMS 전류, I T (RMS) 값을 나타냅니다. 사이리스터 TYN612는 과전압 크로바 보호, 모터 제어 회로, 돌입 전류 제한 회로, 용량 성 방전 점화 및 전압 조절 회로와 같은 모든 제어 모드에 적합합니다. 트리거링 게이트 전류 (I GT) 의 범위는 5mA ~ 15mA입니다. 작동 온도 범위는 -40 ~ 125 ° C입니다. 여기에서 사이리스터에 대해 자세히 알아보십시오.
사이리스터 TYN612의 핀아웃 다이어그램
사이리스터 TYN612의 핀 구성
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핀 번호. |
핀 이름 |
기술 |
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1 |
케이 |
사이리스터의 음극 |
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2 |
ㅏ |
사이리스터의 양극 |
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삼 |
지 |
트리거링에 사용되는 사이리스터 게이트 |
스 너버 회로 설계
아시다시피 Snubber 회로는 저항과 커패시터의 조합입니다. Snubber 회로에 사용되는 커패시터는 장치가 사이리스터 또는 SCR의 원치 않는 dv / dt 트리거링을 방지 할 수 있습니다. 전압이 회로에 적용되면 스위칭 장치에 갑작스런 전압이 나타납니다. 커패시터 Cs는 단락 회로처럼 동작하여 SCR에서 전압이 0이됩니다. 시간이 지남에 따라 커패시터 Cs 양단의 전압은 느린 속도로 축적됩니다. 따라서 커패시터 C2 및 사이리스터 양단의 dv / dt 값은 장치의 최대 dv / dt 정격보다 감소합니다.
이제 문제는 저항 R S 의 사용이 무엇 입니까? 는 SCR이 켜져있을 때, 커패시터 상기 SCR을 통한 배출 및 대 / R 동일한 전류 전송 S. 저항이 매우 낮기 때문에 di / dt는 SCR을 손상시킬 수있을만큼 충분히 높은 경향이 있습니다. 따라서, 방전 전류 저항 R의 크기를 제한하기 위해 S를 사용한다.
스 너버 회로의 작동
회로는 두 부분으로 나뉩니다. 첫 번째는 출력이 사이리스터의 게이트 단자에 공급되는 데 사용되는 555 타이머 IC를 사용하는 주파수 생성기 회로로 사용됩니다. 회로의 두 번째 부분은 Snubber 회로가 있고 Snubber 회로가없는 사이리스터 또는 SCR의 스위칭을 확인하는 데 사용됩니다.
사례 I: 스 너버 회로 없음
Snubber 회로가 위의 회로와 같이 SCR에 존재하지 않으면 아래 파형에서 볼 수 있듯이 고전압 스파이크가 발생합니다. 따라서 전압 스파이크를 부드럽게하기 위해 과전압 또는 dv / dt 거짓 트리거링으로 인해 장치가 손상되는 것을 방지하는 Snubber 회로를 사용합니다.
사례 II: 스 너버 회로 사용
Snubber 회로가 SCR에 존재하는 경우 아래 파형과 같이 전압 스파이크를 줄이거 나 평활화합니다. 따라서 과전압으로 인해 장치가 손상되지 않고 최대 정격보다 장치의 dv / dt 값도 감소합니다.
